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了解晶閘管朗涌電流測(cè)試臺(tái)的原理

更新時(shí)間:2017-04-25      點(diǎn)擊次數(shù):823

晶閘管朗涌電流測(cè)試臺(tái) 型號(hào):DBC-101-ITSM

簡(jiǎn)介 
    DBC-101-ITSM晶閘管浪涌電流測(cè)試臺(tái)的測(cè)試方法符合國(guó)標(biāo),用于檢驗(yàn)晶閘管的浪涌電流過載能力,主回路采用LC振蕩直接放電法,浪涌電流接近正弦半波。控制回路采用單片機(jī)控制,所測(cè)參數(shù)數(shù)字顯示。是晶閘管和整流二管生產(chǎn)、應(yīng)用等單位的*設(shè)備。 
    技術(shù)指標(biāo): 
    1.ITSM為底寬接近10ms的近似正弦半波。 
    2.ITSM測(cè)試范圍:500A—6000A,分辨率10A,精度±5%,數(shù)字表顯示。 
    3.VRM測(cè)試范圍:200V—2000V,分辨率10V,精度±5%,數(shù)字表顯示。 
    4.測(cè)試頻率:?jiǎn)未巍?nbsp;
    5.設(shè)備配有示波器供觀看反向伏安特性波形。

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